Industriemuseum Region Teltow e. V.

Industriemuseum und Informationszentrum Berufsorientierung

Mikroelektronik
"Karl Liebknecht" Stahnsdorf (MLS)

Vom DDR-Silicon-Valley zum modernen Entwicklungs- und Produktionszentrum für leistungselektronische Bauelemente

Mitte der fünfziger Jahre wurde mit der "Halbleiterei", der Basis der Mikroelektronik, im Potsdamer Umland begonnen. Dies war nicht nur die Halbleiterwiege für die DDR, sondern für den Osten insgesamt.

In der Widerstandsfabrik "Dralowid" in Teltow begannen in einer eingegliederten Abteilung unter der Leitung von Prof. Dr. Mathias Falter die theoretischen und experimentellen Arbeiten an Germanium und später an Silizium.

Ab 1960 wurden diese Arbeiten am neugegründete Institut für Halbleitertechnik in Stahnsdorf intensiviert. Von mehreren hundert Wissenschaftlern, Ingenieuren und Technikern wurde in der ganzen Breite zu den Grundlagen und den technischen Anwendungen geforscht, entwickelt und auch in Kleinserien produziert.

HAUPTETAPPEN DER  ENTWICKLUNG 1952 -1993

1952-1959      

       VEB  Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik
       "Carl von Ossietzky" Teltow
— WBN

      Beginn der Halbleiterentwicklung und der Laborproduktion
      150 – 667 Beschäftigte

  • 1952 Halbleiterwiderstände
  • 1953 Entwicklung und Versuchsproduktion von Keramikdioden und Germaniumdioden
    für das dm-Gebiet und Siliziumdioden für das cm-Gebiet; erste Spitzentransistoren 
  • 1954 Germanium-Werkstoffentwicklung, -züchtung und –produktion 
  • 1955 Entwicklung von Glasdioden und Ringmodulatoren
  • 1956 Entwicklung von Golddrahtdioden und Ringmodulatoren
  • 1958 Zentrale Beschlussfassung über das Zentrum der Halbleiterentwicklung
    im Raum Teltow und die Halbleiterbauelemente- Groß-Serienfertigung im Raum Frankfurt /O.
  • 1959 Überleitung der Glasdiodenfertigung an das Werk für Fernsehelektronik Berlin und der Fotodioden an das Werk CARL ZEISS
  • 1959 Entwicklung des ersten Leistungstransistors und Germanium- Gleichrichters und Überleitung in die Produktionsstätte: Berufsschule Frankfurt/O.
  • Beginn der Entwicklung und Züchtung von Reinstsilizium
  • Eigenentwicklung und Eigenproduktion des größten Teils der für die Entwicklung und Produktion von Halbleiterbauelementen erforderlichen Spezialausrüstung wie
  • - Einkristall-Züchtungsanlagen
  • - Schneid- und Läppmaschinen
  • - Schutzgaskästen
  • - Gas- und Wasserreinigungsanlagen
  • - Kontaktier- und Legierungsöfen
  • - Messgeräte u.a.
  • - Import von Impulsschweißmaschinen

Beschäftigte im Zeitraum: von ca. 150 auf 667 Beschäftigte steigend

  

1960-1964

Institut für Halbleitertechnik — IHT in Teltow

Entwicklung und Überleitung von Halbleiterbauelementen in die Serienproduktion des Halbleiterwerkes Frankfurt / O.

Am 01.01.1960 Ausgliederung der Halbleiterentwicklung und –fertigung aus dem
Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik (WBN) und Gründung des selbständigen INSTITUT FÜR HALBLEITERTECHNIK (IHT)
in Teltow, Elbestrasse (ehemalige Pharmaziefabrik Lohse) unter Leitung von Prof. Dr. Falter

ca. 1200 Beschäftigte

  • Schwerpunktaufgaben des IHT waren die Forschung und Entwicklung zur Halbleiterkristallzüchtung, Halbleiterverfahrenstechnik und Halbleiterbauelementen sowie technologischer Spezialausrüstungen.

  • Schnelle Überleitung entwickelter Halbleiterbauelemente in die Serienfertigung des Halbleiterwerkes Frankfurt / O.

  • Kristallzüchtung: Germanium-Silizium-AIII-BV-Verbindungen

  • Verfahren: Schneid- und Läpptechnik; Chemische Verfahren;

  • Legierungstechnik, Verschluss- und Montagetechnik sowie

  • Physikalische und chemische Analytik

  • 1963 Versuchsfertigung im Objekt IHT – Teltow, Elbestraße

    • Si-Schalttransistoren 200 mW und 10 A – Si – Legierungstransistoren
    • Aufbau des damaligen bautechnisch und funktionell-technologisch modernsten Entwicklungs- und Produktionskomplexes der Halbleitertechnik des RGW-Gebietes

    Beschäftigte im Zeitraum : rd.1200 Personen

     

    1965-1970

    Gleichrichterwerk Stahnsdorf - Werkteil II des Halbleiterwerkes Frankfurt / Oder

    Werksumorientierung vom zentralen Entwicklungsinstitut zum Produktionsbetrieb — Gleichrichterwerk

    Umzug von Teltow nach Stahnsdorf — Neuaufbau des Standortes

    Weitere Spezialisierung im Industriezweig Elektrotechnik / Elektronik – Überleitung der Silizium-Kristallzüchtung zum Werk Spurenmetalle Freiberg / Sachsen

    ca. 1500 Beschäftigte

    Anlauf der Serienproduktion des Silizium-Leistungsgleichrichters
    VSF 200 in Legierungstechnik

    • 1966 Entwicklung und Überleitung neuer Halbleitergrundverfahren
    • Produktion des ersten volldiffundierten Silizium-Leistungsgleichrichters VSF 203  (der Anfang der 70er Jahre zum SY „250“  weiterentwickelt wurde)
    • 1967 Anlauf der ersten Maschinenfließreihe für
              1 A – Si- Gleichrichterdioden

    (die bereits seit 1961 produziert wurden)

    • 1968 Übernahme der Produktion der 10 Ampere- Silizium– 
              Gleichrichterdioden und der Silizium-Zehnerleistungsdiode
               vom Halbleiterwerk Frankfurt/O.
    • 1969 Übernahme der Produktion des Silizium–Kfz-Gleichrichters
             SY 170
    • 1970 Produktionsaufnahme von gesteuerten Gleichrichtern =   
              Thyristoren ST 121/123

    Verselbständigung des bisherigen „Werkteils II“ des Halbleiterwerkes Frankfurt / Oder zum  Gleichrichterwerk Stahnsdorf ( GWS )

    • Entwicklung integrierter Schaltkreise für die Mikroelektronik „A 109 / A 250“ und direkte Überleitung in die Produktion in Frankfurt / O.
    • Produktion des 1-millionsten 1-Ampere-Si-Gleichrichters über die Maschinenfließreihe in Stahnsdorf.

    ca. 1500 Beschäftigte

     

    1971-1980
    Gleichrichterwerk Stahnsdorf -GWS

    Profilierung des Werkes zur Entwicklung und Produktion neuer leistungselektronischer Bauelemente in Großserie in neuen hableiterspezifischen Produktionsgebäuden

    ca. 1900 Beschäftigte

  • 1971 Weiterentwickelte und in die Produktion übergeleitete
               leistungselektronische Bauelemente

  • 1972 Produktionsüberleitung der Gleichrichter SY 400 und SY 170
               mit Seilanschluß bzw. Adapter

  • 1974 - 1976 Fertigung halbleiterspezifischer Produktionsgebäude
               in Stahnsdorf (später „OBI“)

  • 1977 Aufnahme der Produktion von Hochspannungstransistoren

    • 1978 Gründung des Kombinates „MIKROELEKTRONIK ERFURT“ 
               GLEICHRICHTERWERK STAHNSDORF –GWS–
                    wird selbständiger Kombinatsbetrieb
    • 1980 Produktionsüberleitung schneller MINIPLAST-DIODEN  
  • Vorbereitung der Großinvestition „Leistungsschalttransistoren“ und
           „Leistungselektronik – Zyklus I“

    ca. 1500 Beschäftigte

  •  

    1981-1989

    Umbenennung des VEB Gleichrichterwerk Stahnsdorf in VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf (MLS)

    Entwicklungsabschluss und Serienproduktion modernster leistungsgesteigerter und integrierter leistungselektronischer Bauelemente, wie Hochspannungstransistoren, Leistungsschalttransistoren / Gleichrichter und Module

    Abschluss des Aufbaus moderner Produktionskomplexe, wie Chipfabrik, Maschinenbau u. a.

    ca. 2400 bis 3000 Beschäftigte

    • 1988 Baubeginn Vorhaben „Elektronikmaschinenbau und Lagerkomplex“
    • 7.10.1988 Inbetriebnahme der CHIPFABRIK – im Vorhaben „1505“
    • 1989 Inbetriebnahme der 1. Hauptetappe des Investitionsvorhabens „Elektronikmaschinenbau und Bauelementelager“
    • Abschluss des Investitionsobjektes „Kapazitätsaufbau Module“ Überleitung erweiterter, leistungsgesteigerter und bedarfsdeckender Sortimente bipolarer leistungselektronischer Bauelemente der neuen Generation

    1984 ca. 2400 Beschäftigte

    1989 ca. 3000 Beschäftigte

     

    1990

    Leistungselektronik Stahnsdorf AG — LES AG  i.G.

       Bildung von Unternehmensbereichen

       Ausgründungen in 12 GmbH

       Verkauf von Teilkomplexen des Unternehmens

     

    1992

     Liquidationsbeschluss durch die Treuhandanstalt
     für die  LES AG     i.G.

    1993

    Verkauf des Betriebsgeländes der LESAG i.L.  —

    Gründung GREEN PARK AG

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