Mikroelektronik
"Karl Liebknecht" Stahnsdorf (MLS)
Vom DDR-Silicon-Valley zum modernen Entwicklungs- und Produktionszentrum für leistungselektronische Bauelemente
Mitte der fünfziger Jahre wurde mit der "Halbleiterei", der Basis der Mikroelektronik, im Potsdamer Umland begonnen. Dies war nicht nur die Halbleiterwiege für die DDR, sondern für den Osten insgesamt.
In der Widerstandsfabrik "Dralowid" in Teltow begannen in einer eingegliederten Abteilung unter der Leitung von Prof. Dr. Mathias Falter die theoretischen und experimentellen Arbeiten an Germanium und später an Silizium.
Ab 1960 wurden diese Arbeiten am neugegründete Institut für Halbleitertechnik in Stahnsdorf intensiviert. Von mehreren hundert Wissenschaftlern, Ingenieuren und Technikern wurde in der ganzen Breite zu den Grundlagen und den technischen Anwendungen geforscht, entwickelt und auch in Kleinserien produziert.
HAUPTETAPPEN DER ENTWICKLUNG 1952 -1993
1952-1959
VEB Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik
"Carl von Ossietzky" Teltow — WBN
Beginn der Halbleiterentwicklung und der Laborproduktion
150 – 667 Beschäftigte
- 1952 Halbleiterwiderstände
- 1953 Entwicklung und Versuchsproduktion von Keramikdioden und Germaniumdioden
für das dm-Gebiet und Siliziumdioden für das cm-Gebiet; erste Spitzentransistoren - 1954 Germanium-Werkstoffentwicklung, -züchtung und –produktion
- 1955 Entwicklung von Glasdioden und Ringmodulatoren
- 1956 Entwicklung von Golddrahtdioden und Ringmodulatoren
- 1958 Zentrale Beschlussfassung über das Zentrum der Halbleiterentwicklung
im Raum Teltow und die Halbleiterbauelemente- Groß-Serienfertigung im Raum Frankfurt /O. - 1959 Überleitung der Glasdiodenfertigung an das Werk für Fernsehelektronik Berlin und der Fotodioden an das Werk CARL ZEISS
- 1959 Entwicklung des ersten Leistungstransistors und Germanium- Gleichrichters und Überleitung in die Produktionsstätte: Berufsschule Frankfurt/O.
- Beginn der Entwicklung und Züchtung von Reinstsilizium
- Eigenentwicklung und Eigenproduktion des größten Teils der für die Entwicklung und Produktion von Halbleiterbauelementen erforderlichen Spezialausrüstung wie
- - Einkristall-Züchtungsanlagen
- - Schneid- und Läppmaschinen
- - Schutzgaskästen
- - Gas- und Wasserreinigungsanlagen
- - Kontaktier- und Legierungsöfen
- - Messgeräte u.a.
- - Import von Impulsschweißmaschinen
Beschäftigte im Zeitraum: von ca. 150 auf 667 Beschäftigte steigend
1960-1964
Institut für Halbleitertechnik — IHT in Teltow
Entwicklung und Überleitung von Halbleiterbauelementen in die Serienproduktion des Halbleiterwerkes Frankfurt / O.
Am 01.01.1960 Ausgliederung der Halbleiterentwicklung und –fertigung aus dem
Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik (WBN) und Gründung des selbständigen INSTITUT FÜR HALBLEITERTECHNIK (IHT)
in Teltow, Elbestrasse (ehemalige Pharmaziefabrik Lohse) unter Leitung von Prof. Dr. Falter
ca. 1200 Beschäftigte
Schwerpunktaufgaben des IHT waren die Forschung und Entwicklung zur Halbleiterkristallzüchtung, Halbleiterverfahrenstechnik und Halbleiterbauelementen sowie technologischer Spezialausrüstungen.
Schnelle Überleitung entwickelter Halbleiterbauelemente in die Serienfertigung des Halbleiterwerkes Frankfurt / O.
Kristallzüchtung: Germanium-Silizium-AIII-BV-Verbindungen
Verfahren: Schneid- und Läpptechnik; Chemische Verfahren;
Legierungstechnik, Verschluss- und Montagetechnik sowie
Physikalische und chemische Analytik
1963 Versuchsfertigung im Objekt IHT – Teltow, Elbestraße
- Si-Schalttransistoren 200 mW und 10 A – Si – Legierungstransistoren
- Aufbau des damaligen bautechnisch und funktionell-technologisch modernsten Entwicklungs- und Produktionskomplexes der Halbleitertechnik des RGW-Gebietes
Beschäftigte im Zeitraum : rd.1200 Personen
1965-1970
Gleichrichterwerk Stahnsdorf - Werkteil II des Halbleiterwerkes Frankfurt / Oder
Werksumorientierung vom zentralen Entwicklungsinstitut zum Produktionsbetrieb — Gleichrichterwerk
Umzug von Teltow nach Stahnsdorf — Neuaufbau des Standortes
Weitere Spezialisierung im Industriezweig Elektrotechnik / Elektronik – Überleitung der Silizium-Kristallzüchtung zum Werk Spurenmetalle Freiberg / Sachsen
ca. 1500 Beschäftigte
Anlauf der Serienproduktion des Silizium-Leistungsgleichrichters
VSF 200 in Legierungstechnik
- 1966 Entwicklung und Überleitung neuer Halbleitergrundverfahren
- Produktion des ersten volldiffundierten Silizium-Leistungsgleichrichters VSF 203 (der Anfang der 70er Jahre zum SY „250“ weiterentwickelt wurde)
- 1967 Anlauf der ersten Maschinenfließreihe für
1 A – Si- Gleichrichterdioden
(die bereits seit 1961 produziert wurden)
- 1968 Übernahme der Produktion der 10 Ampere- Silizium–
Gleichrichterdioden und der Silizium-Zehnerleistungsdiode
vom Halbleiterwerk Frankfurt/O. - 1969 Übernahme der Produktion des Silizium–Kfz-Gleichrichters
SY 170 - 1970 Produktionsaufnahme von gesteuerten Gleichrichtern =
Thyristoren ST 121/123
Verselbständigung des bisherigen „Werkteils II“ des Halbleiterwerkes Frankfurt / Oder zum Gleichrichterwerk Stahnsdorf ( GWS )
- Entwicklung integrierter Schaltkreise für die Mikroelektronik „A 109 / A 250“ und direkte Überleitung in die Produktion in Frankfurt / O.
- Produktion des 1-millionsten 1-Ampere-Si-Gleichrichters über die Maschinenfließreihe in Stahnsdorf.
ca. 1500 Beschäftigte
1971-1980
Gleichrichterwerk Stahnsdorf -GWS
Profilierung des Werkes zur Entwicklung und Produktion neuer leistungselektronischer Bauelemente in Großserie in neuen hableiterspezifischen Produktionsgebäuden
ca. 1900 Beschäftigte
1971 Weiterentwickelte und in die Produktion übergeleitete
leistungselektronische Bauelemente
1972 Produktionsüberleitung der Gleichrichter SY 400 und SY 170
mit Seilanschluß bzw. Adapter
1974 - 1976 Fertigung halbleiterspezifischer Produktionsgebäude
in Stahnsdorf (später „OBI“)
1977 Aufnahme der Produktion von Hochspannungstransistoren
- 1978 Gründung des Kombinates „MIKROELEKTRONIK ERFURT“
GLEICHRICHTERWERK STAHNSDORF –GWS–
wird selbständiger Kombinatsbetrieb - 1980 Produktionsüberleitung schneller MINIPLAST-DIODEN
Vorbereitung der Großinvestition „Leistungsschalttransistoren“ und
„Leistungselektronik – Zyklus I“
ca. 1500 Beschäftigte
1981-1989
Umbenennung des VEB Gleichrichterwerk Stahnsdorf in VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf (MLS)
Entwicklungsabschluss und Serienproduktion modernster leistungsgesteigerter und integrierter leistungselektronischer Bauelemente, wie Hochspannungstransistoren, Leistungsschalttransistoren / Gleichrichter und Module
Abschluss des Aufbaus moderner Produktionskomplexe, wie Chipfabrik, Maschinenbau u. a.
ca. 2400 bis 3000 Beschäftigte
- 1988 Baubeginn Vorhaben „Elektronikmaschinenbau und Lagerkomplex“
- 7.10.1988 Inbetriebnahme der CHIPFABRIK – im Vorhaben „1505“
- 1989 Inbetriebnahme der 1. Hauptetappe des Investitionsvorhabens „Elektronikmaschinenbau und Bauelementelager“
- Abschluss des Investitionsobjektes „Kapazitätsaufbau Module“ Überleitung erweiterter, leistungsgesteigerter und bedarfsdeckender Sortimente bipolarer leistungselektronischer Bauelemente der neuen Generation
1984 ca. 2400 Beschäftigte
1989 ca. 3000 Beschäftigte
1990
Leistungselektronik Stahnsdorf AG — LES AG i.G.
Bildung von Unternehmensbereichen
Ausgründungen in 12 GmbH
Verkauf von Teilkomplexen des Unternehmens
1992
Liquidationsbeschluss durch die Treuhandanstalt
für die LES AG i.G.
1993
Verkauf des Betriebsgeländes der LESAG i.L. —
Gründung GREEN PARK AG